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製品の詳細
製品の概要
効率性高いのテラヘルツ放射源は一連のテラヘルツ科学技術の応用に非常に重要な影響を与えており、1つの重要な点は広い帯域幅と高い電界強度である。これは通常、大励起面積の放射源に依存し、従来の概念では放射源はKV/cmのTHz電界強度を達成するために高いバイアス電圧(数百Vまで)励起を必要としていた。上海屹持光電が発売した大励起面積テラヘルツ送信機は大励起面であり、バイアス電圧が非常に低い高効率光伝導アンテナである。
製品特徴
√大きな励起面積
√低い外部バイアス電圧
√外部冷却装置不要
√超統合化されたパッケージ設計
技術仕様
上海屹持光電が発売したTera-SEDはLT-GaAsに基づく高効率テラヘルツ光伝導アンテナである。我々は2つの異なるバージョンの大励起面積光伝導アンテナを提供する:10 mm*10 mm励起面積のアンテナは増幅段フェムト秒レーザシステムに適している(単一パルスエネルギーは300 uJまで高くてもよい)、3 mm*3 mm版の光伝導アンテナは、発振段フェムト秒レーザに適している。
左図はTera−SED励起放射THzの原理概略図、右図は実験試験スペクトルデータ(0.7 nJ pumpパワー、GaP結晶検出の結果)
スペクトルピーク | 1THz-1.5THz |
スペクトル幅(@-10 dB) | ~2.5THz |
最大光励起電力密度 | 8W/mm2 |
最大励起電力 | 650mW |
励起波長 | 700-850nm |
寸法すんぽう | 1インチ外径 |
テラヘルツパルス強度 | 最大5 KV/cm |
バイアス電圧 |
10-30V |
バイアス電圧変調周波数 | DC-100KHz |
デューティサイクル | 5%-100% |
放射テラヘルツの能力
|
バイアス電圧Vbias | デューティサイクル | THz電界強度 |
Tera-SED3 |
up to 10V | CW | 100V/cm (@10V) |
10-20V | 50% |
200V/cm (@20V) |
|
30V |
10% |
300V/cm |
|
Tera-SED10 |
up to 5V | CW |
1000V/cm(@5V) |
5-20V | 50% |
2000V/cm(@20V) |
|
25V |
5% |
5000V/cm |
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